SiCの性質・用途の解説 | 研磨加工事例の紹介

このページでは、TDC（ティ・ディ・シー）で行っているSiCの研磨加工をご紹介します。

TDCで行っている研磨加工については、『研磨加工』ページも合わせてご参照ください。

TDCのSiC研磨加工

独自の技術開発やこれまでに培ってきた研磨技術によって、TDCはSiCをはじめとするあらゆる金属研磨加工を得意としております。

高い精度が求められる精密部品やSiC表面の鏡面研磨加工まで、幅広いSiC研磨加工に対応することができます。

TDCの研磨加工に関する詳しい解説は、『研磨加工』ページをご確認ください。

TDCのSiC研磨加工の特徴

TDCのSiC研磨加工には、以下のような強み・特徴があります。

• 高精度な研磨技術
  TDCが誇る精密研磨技術により、除去量を制御することでミクロン単位・ナノレベルでの超高精度金属精密加工を実現しています。
  切削や研削などの加工方法と比較しても、対象物に負荷をかけることなく、あらゆる形状への対応が可能です。
• 短納期・特急対応が可能
  100台以上の研磨装置を所有することにより、大量ロットや複雑な加工であっても短納期を実現。
  お急ぎの場合には、「特急対応」でのご相談にも対応させて頂きます。
• 小ロットからでもお気軽にご相談ください
  1個からの小ロットでのご依頼、試作品の製作もお任せください。
• 100台を超える豊富な加工機械を所有
  TDCでは、ラップ研磨機や平面研削盤などの研磨装置を100台以上所有。
  マシニングセンター、フライス盤などの各種加工機も揃えているため、あらゆる加工にも対応が可能です。
• 研磨装置の約半数が自社製
  100台以上ある研磨装置のうち約半数は自社製となり、「低コスト」で「高品質」なモノづくりを実現しています。

TDCのSiC研磨加工例

TDCにおける代表的なSiC研磨加工例を2つご紹介します。

その他材質についての加工実績は、下記ページよりご覧いただけます。
>>TDCの表面粗さ・面粗度実績

SiC研磨加工例①：4インチ単結晶SiC基板鏡面加工

• 材質：単結晶SiC
• サイズ：φ4インチ
• 加工内容：ラッピング研磨やCMP研磨を組合せ鏡面に仕上げました。
• 精度：面粗さ Ra0.07nm

SiC研磨加工例②：3インチ単結晶SiC薄化加工

• 材質：単結晶SiC
• サイズ：φ3インチ
• 加工内容：厚み0.35mmのウェハを0.18mmの寸法に追い込み、面粗さをRa1nm以下に仕上げました。
• 精度：面粗さ Ra1nm

SiCとは？

SiCとは、炭素（C）とケイ素（Si）からなる化合物半導体の略称となります。

パワー半導体素子（電力制御用の半導体素子・パワーデバイス）として応用した場合、同じデバイス構造のシリコン（Si）製のものと比べ、1桁高い耐電圧が得られ高温での動作も可能となるため、次世代のパワー半導体として期待がされています。

SiCパワー半導体素子

SiCパワー半導体素子は、電力の損失を大幅に減らせるSiCを材料に用いたパワー半導体素子です。

鉄道や電気自動車、太陽光発電のパワーコンディショナーや送電システム、データセンターなどの情報通信、産業用ロボットなどの大きな電力を扱う産業や企業などで実装が始まっています。

SiCはパワー半導体に適した特性を多く有しているものの、Siと比べ、パワー素子の基板となるウェハの製造の難しさ・高コスト・信頼性が大きな課題となっています。本格的な普及には、これらの課題解決と量産化の実現が必要です。

SiCウェハ

高硬度かつ脆性の高いSiCウェハは、非常に加工の難しい材料となります。

年々SiCウェハは6インチから8インチへの大口径化が進んでおり、薄化・平坦化のための研削・研磨の加工技術が必要とされています。

SiCウェハにおける研磨加工の重要性

ラッピングやポリッシングといった研磨技術は、ウェハの平坦化・量産に向いた「バッチ式加工技術」として一般的です。

研磨加工では、研磨定盤の回転数や加工圧力を高めることで研磨速度の向上につながるため、これまでの研磨条件を策定する経験則や技術力が非常に重要となります。

難度の高いSiC研磨加工もTDCにご相談ください

TDCではこれまでに蓄積してきた研磨加工技術により、加工の難しいSiC研磨加工、SiCウエハの精密CMPや薄化研磨に対応が可能です。

１枚～小ロットの実験研究用から大量生産まで対応していますので、SiC研磨に関するお悩みはぜひ一度TDCにご相談ください。

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