SiCの研磨加工

SiCの研磨加工

このページでは、TDC(ティ・ディ・シー)で行っているSiCの研磨加工をご紹介します。

TDCのSiC研磨加工

独自の技術開発やこれまでに培ってきた研磨技術によって、TDCはSiCをはじめとするあらゆる金属研磨加工を得意としております。

高い精度が求められる精密部品やチタン表面の鏡面研磨加工まで、幅広いチタン研磨加工に対応することができます。

TDCの研磨加工に関する詳しい解説は、『研磨加工』ページをご確認ください。

TDCのSiC研磨加工の特徴

TDCのSiC研磨加工には、以下のような強み・特徴があります。

  • 高精度な研磨技術
    TDCが誇る精密研磨技術により、除去量を制御することでミクロン単位・ナノレベルでの超高精度金属精密加工を実現しています。
    切削や研削などの加工方法と比較しても、対象物に負荷をかけることなく、あらゆる形状への対応が可能です。
  • 短納期・特急対応が可能
    100台以上の研磨装置を所有することにより、大量ロットや複雑な加工であっても短納期を実現。
    お急ぎの場合には、「特急対応」でのご相談にも対応させて頂きます。
  • 小ロットからでもお気軽にご相談ください
    1個からの小ロットでのご依頼、試作品の製作もお任せください。
  • 100台を超える豊富な加工機械を所有
    TDCでは、ラップ研磨機や平面研削盤などの研磨装置を100台以上所有。
    マシニングセンター、フライス盤などの各種加工機も揃えているため、あらゆる加工にも対応が可能です。
  • 研磨装置の約半数が自社製
    100台以上ある研磨装置のうち約半数は自社製となり、「低コスト」で「高品質」なモノづくりを実現しています。
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TDCのSiC研磨加工例

TDCにおける代表的なSiC研磨加工例を2つご紹介します。

SiC研磨加工例①:4インチ単結晶SiC基板鏡面加工

  • 材質:単結晶SiC
  • サイズ:φ4インチ
  • 加工内容:ラッピング研磨やCMP研磨を組合せ鏡面に仕上げました。
  • 精度:面粗さ Ra0.07nm

SiC研磨加工例②:3インチ単結晶SiC薄化加工

  • 材質:単結晶SiC
  • サイズ:φ3インチ
  • 加工内容:厚み0.35mmのウェハを0.18mmの寸法に追い込み、面粗さをRa1nm以下に仕上げました。
  • 精度:面粗さ Ra1nm

SiCとは?

SiCとは、炭素(C)とケイ素(Si)からなる化合物半導体の略称となります。

パワー半導体素子(電力制御用の半導体素子・パワーデバイス)として応用した場合、同じデバイス構造のシリコン(Si)製のものと比べ、1桁高い耐電圧が得られ高温での動作も可能となるため、次世代のパワー半導体として期待がされています。

SiCパワー半導体素子

パワー半導体素子とは、電力制御用の半導体素子のことで、一般的にパワーデバイスとも呼ばれています。

SiCパワー半導体素子は、その名のとおりSiCを用いたパワー半導体素子のことで、発電・送電システム、産業用ロボットや自動車、鉄道、情報通信機器などの大きな電力を扱う産業や企業などで実装が始まっています。

普及拡大のためには、パワー素子の基板となるSiCウェハの製造・コスト低減・量産性向上がもっとも重要視されています。

SiCウェハ

SiCウェハは極めて加工の難しい高硬脆材料であり、平坦化に研削加工や研磨加工が用いられます。

SiCウェハは6インチから8インチへの大口径化が進んでいて、それに対応したSiCウェハ生産の加工技術が必要とされています。

SiCウェハにおける研磨加工の重要性

ラッピングやポリッシングといった研磨技術は、ウェハの平坦化・量産に向いた「バッチ式加工技術」として一般的です。

研磨加工では、研磨定盤の回転数や加工圧力を高めることで研磨速度の向上につながるため、これまでの研磨条件を策定する経験則や技術力が非常に重要となります。

難度の高いSiC研磨加工もTDCにご相談ください

TDCではこれまでに蓄積してきた研磨加工技術により、加工の難しいSiC研磨加工、SiCウエハの精密CMPや薄化研磨に対応が可能です。

1枚~小ロットの実験研究用から大量生産まで対応していますので、SiC研磨に関するお悩みはぜひ一度TDCにご相談ください。

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