SiC ウエハー

独自のSiCウエハー研磨技術が選ばれる理由

SiCは大変優れた材料特性から次世代パワーデバイス材料として有望視されていますが、
高硬度で安定な材質であるがゆえに研磨プロセスのコストが障壁となっていました。
そこでTDCでは東北大学多元物質科学研究所との共同研究、産業技術総合研究所のご指導の下、
自社独自の研磨技術を開発し、短時間・低コストで究極のウエハー品質（粗さ・TTV）を実現することに成功しました。